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[VIP第8年] 指數(shù):4
通過(guò)認(rèn)證 
| 項(xiàng)目 | CS1W-AD041-V1 | CS1W-AD081-V1 | CS1W-AD161 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 適用的PLC模型 | CS系列 | ||||
| 單元類型 | CS1高功能I/O單元 | ||||
| 絕緣*1 | 在I/O和PLC信號(hào)之間： 光耦合器 (單獨(dú)的I/O信號(hào)之間無(wú)絕緣。) |
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| 外部端子 | 21點(diǎn)可拆卸端子塊(M3螺釘) | 兩個(gè)34針MIL連接器 | |||
| 對(duì)CPU單元周期時(shí)間的影響 | 0.2 ms | ||||
| 功耗 | zui大120mA (DC5V)， zui大90mA (DC26V) | zui大150mA (DC5V)， zui大55mA (DC26V) |
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| 外形尺寸(mm)*2 | 35 × 130 × 126 (W × H × D) | 35 × 130 × 119 (W × H × D) | |||
| 質(zhì)量 | 450g以下 | ||||
| 一般規(guī)格 | 遵守SYSMAC CS系列的一般規(guī)格。 | ||||
| 安裝位置 | CS系列CPU裝置或CS系列擴(kuò)展裝置 (不能安裝在C200H擴(kuò)展I/O裝置或SYSMAC BUS從站裝置上。) |
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| zui大單元數(shù) | 視電源單元而定。*3 | ||||
| 和CPU單元的數(shù)據(jù)交換*4 | CIO區(qū)的高功能I/O單元區(qū)(CIO 2000～CIO 2959) ： 每單元10個(gè)字 DM區(qū)中的高功能I/O單元區(qū)(D20000～D29599) ： 每單元100個(gè)字 |
高功能I/O單元CIO區(qū) (CIO 2000～CIO 2959) ： 每單元20個(gè)字 DM區(qū)中的高功能I/O單元區(qū)(D20000 ～D29599) ： 每單元200個(gè)字 |
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| 輸入規(guī)格 | 模擬量輸入數(shù) | 4 | 8 | 16 | |
| 輸入信號(hào)范圍*5 | 1～5V 0～5V 0～10V -10～10V 4～20mA *6 |
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| zui大額定輸入 (對(duì)于1點(diǎn)) *7 |
電壓輸入： ±15V 電流輸入： ±30mA |
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| 輸入阻抗 | 電壓輸入： 1MΩ以上 電流輸入： 250Ω (額定值) |
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| 分辨率 | 4,000/8,000 *8 | ||||
| 轉(zhuǎn)換輸出數(shù)據(jù) | 16位二進(jìn)制數(shù)據(jù) | ||||
| 精度*9 | 23 ± 2 °C | 電壓輸入： ±0.2%的全刻度 電流輸入： ±0.4%的全刻度 |
電壓輸入： ±0.2%的全刻度 電流輸入： ±0.2%的全刻度 |
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| 0 °C ～ 55 °C |
電壓輸入： ±0.4%的全刻度 電流輸入： ±0.6%的全刻度 |
電壓輸入： ±0.4%的全刻度 電流輸入： ±0.4%的全刻度 |
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| A/D轉(zhuǎn)換時(shí)間*10 | 每點(diǎn)zui大1.0ms或250μs*8 | ||||
| 平均值處理 | 將zui后的“n” 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)在緩沖區(qū)中， 并存儲(chǔ)轉(zhuǎn)換值的平均值。 緩沖區(qū)數(shù)量： n = 2, 4, 8, 16, 32, 64 |
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| 峰值保持 | 當(dāng)峰值保持位為ON時(shí)， 存儲(chǔ)***大轉(zhuǎn)換值。 | ||||
| 輸入斷線檢測(cè) | 檢測(cè)斷線并將斷線檢測(cè)功能標(biāo)志設(shè)定為ON。*11 | ||||
| 定標(biāo)功能 | 無(wú) | 無(wú) | 僅當(dāng)轉(zhuǎn)換時(shí)間為1ms且分辨率為4,000時(shí)啟用。設(shè)定±32,000上下限之間的任意值之后，可以在輸出A/D轉(zhuǎn)換結(jié)果時(shí)將這些值作為全定標(biāo)。 | ||
